Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger […]